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SQ4410EY
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
10
1.8
8
I D = 10 A
V D S = 15 V
1.6
I D = 10 A
V GS = 10 V
1.4
6
4
1.2
1.0
V GS = 4.5 V
2
0
0.8
0.6
0
5
10 15 20 25 30
35
40
- 50 - 25
0 25 50 75 100 125
150
175
100
10
1
Q g - Total G ate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 ° C
0.10
0.08
0.06
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.1
0.01
0.001
T J = 25 ° C
0.04
0.02
0.00
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
2 4 6 8
10
0.5
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
40
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.1
- 0.3
- 0.7
- 1.1
- 1.5
I D = 250 μA
I D = 5 mA
38
36
34
32
30
I D = 1 mA
- 50 - 25
0
25 50 75 100
125
150
175
- 50 - 25
0 25 50 75 100 125
150
175
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
T J - Junction Temperature ( ° C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S12-2200-Rev. D, 24-Sep-12
4
Document Number: 65674
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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